4月24日，由第三代半導體（885908）產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟編寫的《第三代半導體（885908）產(chǎn)業(yè)發(fā)展報告(2025)》(簡稱《報告》)在2026九峰山論壇開幕式上發(fā)布。
“AI浪潮推動全球半導體（881121）產(chǎn)業(yè)強勁發(fā)展，寬禁帶半導體（881121）為代表的化合物半導體（881121）成為半導體（881121）領域高端產(chǎn)業(yè)鏈話語權爭奪的焦點?！?span>第三代半導體（885908）技術產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長吳玲接受證券時報記者采訪時表示，我國在光電子、射頻電子和功率電子領域建立了較為完整的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)體系，正處于從“技術突破”向“產(chǎn)業(yè)領先”加速邁進的關鍵階段。
從技術追趕到局部領先
《報告》指出，2025年全球半導體（881121）產(chǎn)業(yè)勢頭強勁，疊加新能源汽車（885431）、光伏儲能（885921）等下游領域需求放量，我國第三代半導體（885908）產(chǎn)業(yè)持續(xù)高速增長。第三代半導體（885908）功率電子領域市場規(guī)模約227億元，同比增長28.6%，其中新能源汽車（885431）及交通市場突破148億元，消費電子（881124）市場接近32億元，電信及基礎設施成為增速最快領域。GaN射頻器件市場119億元，同比增長9.2%；光電方面，車用LED（884095）領域保持增長，GaN基激光器市場規(guī)模達70億元。
“從供給端來看，國內(nèi)第三代半導體（885908）功率電子、射頻電子、LED（884095）產(chǎn)值分別為231億元、47億元、1037億元。”《報告》顯示，國內(nèi)碳化硅(SiC)襯底、外延及晶圓(折合6英寸)產(chǎn)能分別為420萬片、230萬片、190萬片，產(chǎn)量分別為205萬片、93萬片、85萬片，產(chǎn)能利用率較上年有所提升。GaN功率電子的外延及晶圓(折合6英寸)產(chǎn)能分別為96萬片和74萬片，產(chǎn)量分別為63萬片和43萬片，較上年實現(xiàn)較大增長。射頻電子外延及晶圓(折合6英寸)產(chǎn)能分別為17萬片和15萬片，國產(chǎn)化率進一步提升。
產(chǎn)業(yè)格局上，我國企業(yè)全球市占率顯著提升。根據(jù)《報告》提供的數(shù)據(jù)，天岳先進（HK2631）、天科合達（603660）等躋身SiC襯底全球前三，瀚天天成（HK2726）、天域半導體（HK2658）等進入SiC外延全球前二，SiC材料整體供給占全球一半，英諾賽科（HK2577）GaN功率器件全球市占率繼續(xù)保持第一。
技術方面，SiC8英寸襯底實現(xiàn)規(guī)模化供貨，12英寸外延全球首發(fā)，GaN相關技術取得突破；超寬禁帶半導體（881121）多項技術實現(xiàn)國際首發(fā)。
展望2026年，《報告》預計，經(jīng)歷了行業(yè)的規(guī)模化增量，第三代半導體（885908）功率及射頻電子產(chǎn)值增速有望達到15%以上。
“對能源（850101）效率、信息速度和極端環(huán)境適應能力的需求，是新材料、新器件技術不斷創(chuàng)新發(fā)展的核心驅(qū)動力?！眳橇嵴J為，我國已實現(xiàn)從技術追趕到局部領先的躍升，未來5到10年有望實現(xiàn)全球引領，形成半導體（881121）領域的優(yōu)勢長板，搶占國際科技與產(chǎn)業(yè)競爭的戰(zhàn)略主動權。
進入生態(tài)重構(gòu)深水區(qū)
不過，多位與會專家同時提醒，國內(nèi)第三代半導體（885908）產(chǎn)業(yè)在高端襯底、核心設備等關鍵環(huán)節(jié)仍然存在短板，從研發(fā)、中試到規(guī)?；慨a(chǎn)的銜接不夠順暢，產(chǎn)業(yè)整體處在由技術突破向建立全面領先優(yōu)勢的關鍵節(jié)點。
吳玲指出，當前產(chǎn)業(yè)面臨的主要挑戰(zhàn)是性價比提高和產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同。
“材料和器件的長期可靠性是決定其能否被采納的生命線”。吳玲認為，當前第三代半導體（885908）面臨材料與器件固有缺陷、電磁干擾等新挑戰(zhàn)，不僅封裝和驅(qū)動生態(tài)的成熟度不及傳統(tǒng)硅器件，評價方法與標準體系也尚不完善。
此外，業(yè)內(nèi)普遍認為，成本是決定能否大規(guī)模普及的關鍵所在。吳玲表示，襯底與外延成本依然高企，而產(chǎn)能擴張引發(fā)的供需失衡，正加速行業(yè)洗牌。
當產(chǎn)業(yè)化進入生態(tài)重構(gòu)的深水區(qū)，發(fā)展路徑該如何選擇？吳玲表示，競爭焦點正從單一產(chǎn)品性能轉(zhuǎn)向系統(tǒng)級解決方案，這促使終端應用企業(yè)開始深度參與前端技術研發(fā)，產(chǎn)學研合作因此更加緊密，進而要求創(chuàng)新資源配置必須更為高效。
“許多前沿探索已初具轉(zhuǎn)化潛力，但科研團隊往往缺少感知市場脈動的觸角?！敝袊茖W院院士、武漢大學工業(yè)科學研究院執(zhí)行院長劉勝建議，要推動產(chǎn)學研用從物理集聚走向化學融合，不僅要加快公共平臺的建設，還需要耐心資本護航，完善從概念驗證到規(guī)?；慨a(chǎn)的全周期（883436）支持。
打造半導體化合物高地
值得注意的是，自2023年創(chuàng)辦以來，九峰山論壇已成為國內(nèi)化合物半導體（881121）領域規(guī)模最大、規(guī)格最高、影響力最強的行業(yè)盛會。九峰山論壇舉行地武漢，正搶抓第三代半導體（885908）發(fā)展風口，聚力打造半導體（881121）化合物高地與優(yōu)勢產(chǎn)業(yè)集群。
目前，以武漢東湖高新（600133）區(qū)為核心，武漢布局了包括九峰山實驗室、光谷實驗室、國家信息光電子創(chuàng)新中心等在內(nèi)的創(chuàng)新平臺，集聚了創(chuàng)飛、先進、先導新材等一批核心企業(yè)。作為工信部首批國家級制造業(yè)中試平臺中集成電路領域唯一入選平臺，九峰山實驗室?guī)勇涞仄髽I(yè)70余家，推動武漢市化合物半導體（881121）企業(yè)規(guī)模突破400億元。
武漢東湖高新（600133）區(qū)相關負責人向記者透露，該區(qū)正以九峰山實驗室為核心，打造面積14平方公里的化合物半導體（881121）街區(qū)。創(chuàng)新街區(qū)內(nèi)16.8萬平方米的化合物半導體（881121）孵化加速及制造基地項目即將于今年建成投用。在這里，初創(chuàng)企業(yè)可“拎包入駐”，帶著設計圖就能造出芯片樣品。同時，光谷設立了890億元政府投資基金群，加快集聚產(chǎn)業(yè)上下游生態(tài)，打造全球化合物半導體（881121）產(chǎn)業(yè)投資首選地。
