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高端薄膜沉積設(shè)備放量 微導(dǎo)納米2025年半導(dǎo)體營(yíng)收占比突破三成
2026-04-30 13:50:34
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文章提及標(biāo)的
微導(dǎo)納米--
半導(dǎo)體--
半導(dǎo)體設(shè)備--
CVD設(shè)備--
集成電路制造--
OLED--

上證報(bào)中國(guó)證券網(wǎng)訊(記者李興彩)4月29日,微導(dǎo)納米(688147)發(fā)布2025年年報(bào)及2026年一季報(bào),顯示其半導(dǎo)體(881121)業(yè)務(wù)在2025年實(shí)現(xiàn)重要突破與高速增長(zhǎng)。

根據(jù)披露,2025年公司多款A(yù)LD(原子層沉積)和CVD(化學(xué)氣相沉)設(shè)備獲得重點(diǎn)客戶(hù)驗(yàn)證和量產(chǎn)導(dǎo)入,半導(dǎo)體設(shè)備(884229)收入8.81億元,同比增長(zhǎng)169.12%,占主營(yíng)業(yè)務(wù)收入的比重由12.14%提升至33.49%。半導(dǎo)體(881121)領(lǐng)域內(nèi)的產(chǎn)品工藝覆蓋度和技術(shù)水平持續(xù)提升,獲得客戶(hù)驗(yàn)收的設(shè)備數(shù)量持續(xù)增長(zhǎng)。

產(chǎn)品研發(fā)方面,在ALD領(lǐng)域,微導(dǎo)納米(688147)2025年開(kāi)發(fā)了空間ALD設(shè)備,實(shí)現(xiàn)多片同時(shí)工藝,有效解決了傳統(tǒng)ALD的產(chǎn)能瓶頸問(wèn)題;同時(shí),為適配新型芯片復(fù)雜器件結(jié)構(gòu)與低溫高質(zhì)量薄膜工藝需求,又研發(fā)了多站型PEALD(等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積)設(shè)備,顯著提升工藝效率并降低制造成本,滿(mǎn)足多種應(yīng)用場(chǎng)景。

在CVD技術(shù)方面,公司適用于高溫領(lǐng)域的CVD設(shè)備(CVV)已于2025年通過(guò)客戶(hù)批量驗(yàn)收,形成規(guī)模化量產(chǎn)能力,并持續(xù)獲得批量訂單,成為微導(dǎo)納米(688147)薄膜沉積技術(shù)體系的重要支撐。目前,微導(dǎo)納米(688147)正在進(jìn)一步拓展CVD技術(shù)的覆蓋面,持續(xù)開(kāi)發(fā)相關(guān)薄膜設(shè)備及工藝,多種硬掩模及介質(zhì)材料CVD設(shè)備(CVV)已導(dǎo)入客戶(hù)端驗(yàn)證,CVD產(chǎn)品矩陣進(jìn)一步完善。

為鞏固技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì),微導(dǎo)納米(688147)在今年一季度繼續(xù)保持高研發(fā)投入,研發(fā)費(fèi)用達(dá)1.17億元,同比增長(zhǎng)72.88%,占一季度營(yíng)收比例為24.24%,為后續(xù)的業(yè)務(wù)增長(zhǎng)奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。在光伏領(lǐng)域,微導(dǎo)納米(688147)的產(chǎn)品包括ALD、CVD、PVD和爐管等設(shè)備,覆蓋TOPCon、XBC、HJT、鈣鈦礦/鈣鈦礦疊層電池等技術(shù)路線。

公開(kāi)資料顯示,微導(dǎo)納米(688147)是國(guó)內(nèi)首家將量產(chǎn)型High-k原子層沉積設(shè)備(ALD)應(yīng)用于集成電路制造(884227)前道生產(chǎn)線的國(guó)產(chǎn)設(shè)備廠商,是國(guó)內(nèi)首批開(kāi)發(fā)并進(jìn)入產(chǎn)業(yè)鏈核心廠商量產(chǎn)線的硬掩模化學(xué)氣相沉積設(shè)備(CVD)國(guó)產(chǎn)廠商,也是行業(yè)內(nèi)率先為新型存儲(chǔ)提供薄膜沉積技術(shù)支持的設(shè)備廠商之一。

目前,公司已與國(guó)內(nèi)多家廠商建立深度合作關(guān)系,產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于邏輯、存儲(chǔ)、先進(jìn)封裝(886009)、化合物半導(dǎo)體(881121)、新型顯示(硅基oled(885738)等)等諸多細(xì)分應(yīng)用領(lǐng)域,多項(xiàng)設(shè)備關(guān)鍵指標(biāo)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平,能夠滿(mǎn)足國(guó)內(nèi)客戶(hù)的當(dāng)前技術(shù)需求以及未來(lái)技術(shù)更迭需要。

隨著市場(chǎng)認(rèn)可度不斷提升,微導(dǎo)納米(688147)正積極提升產(chǎn)能,筑牢發(fā)展優(yōu)勢(shì)。2025年8月,微導(dǎo)納米(688147)發(fā)行可轉(zhuǎn)債,募集資金11.7億元。其中,6.43億元用于“半導(dǎo)體(881121)薄膜沉積設(shè)備智能化工(850102)廠建設(shè)”項(xiàng)目,項(xiàng)目建成后預(yù)計(jì)每年可新增銷(xiāo)售收入約15.65億元;2.27億元用于“研發(fā)實(shí)驗(yàn)室擴(kuò)建”,以確保前沿技術(shù)能夠快速轉(zhuǎn)化為可量產(chǎn)、高穩(wěn)定性的產(chǎn)品,為微導(dǎo)納米(688147)的長(zhǎng)期穩(wěn)健發(fā)展夯實(shí)基礎(chǔ)。

展望產(chǎn)業(yè)前景,據(jù)半導(dǎo)體(881121)行業(yè)協(xié)會(huì)最新數(shù)據(jù),半導(dǎo)體(881121)刻蝕機(jī)、薄膜沉積等核心設(shè)備替代率已突破40%,進(jìn)入爬坡階段。后續(xù),隨著3D NAND和DRAM層數(shù)持續(xù)增加,ALD技術(shù)憑借其原子級(jí)膜厚控制和優(yōu)異的三維覆蓋能力,需求持續(xù)攀升。

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